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氮杂质,nitrogen impurity
1)nitrogen impurity氮杂质
1.It was found that,in the samples of which nitrogennitrogen pairs’ concentration is less than 9×1015/cm3 and which have been preannealed for thermal donors eliminating,the presentation ofnitrogen impurity would not enhance oxygen precipitation.因此，在实用的微氮ＣＺ硅单晶中的氮杂质不会对三步本征吸杂产生不利影响。
英文短句/例句
1.Optical absorbance of diamond doped with nitrogen and the nitrogen concentration analysis掺氮金刚石的光学吸收与氮杂质含量的分析研究
2.Hydrogen Bonding Structure and Property of 5,6-azabenzene-H_2O Complexes(五、六)氮杂苯-水复合物氢键结构与性质
3.Effects of N Fertilization Levels on Yield,Quality and Nitrogen Uptake and Utilization施氮水平对杂交狼尾草产量、品质和氮素吸收利用的影响
4.Synthesis and Optical Properties of Silicon-doped BN Nanotubes硅掺杂氮化硼纳米管的制备及其光学性质
5.The Preparation and the Investigation of Electrical and Optical Properties of Nitrogen-doped p-type ZnO;氮掺杂p型ZnO薄膜材料的制备及光电性质研究
6.Theoretical Studies on Energetic Properties of Nitrogen Heterocyclic Compounds and Tautomerism of Cyameluric Acid;氮杂环含能性质及Cyameluric Acid异构化的理论研究
7.Synthesis, Characterizations and Propertyies of Five-Membered Nitrogen Containing Heterocycle Complexes;含氮五元杂环配合物的合成、表征及性质研究
8.Synthesis and Properties Research of Azaheterocycle Ferrocene Derivatives;含氮杂环二茂铁衍生物的合成与性质研究
9.Design, Synthesis and Properties of Novel Organic Luminescent Materials Containing Nitrogen Hetero-cycles;新型含氮杂环有机发光材料的设计、合成及性质
10.Studies on Novel Synthesis and Properties of 8-Azaguanine Derivatives;8-氮杂鸟嘌呤衍生物的合成新方法与性质研究
11.Effect of Nitrogen and Phosphorus on Yield and Quality of the Double Low Hybrid Oilseed Rape;氮、磷对双低杂交油菜产量和品质的影响
12.Design, Synthesis and Property Study of Novel Nitrogen-Containing Fluorescent Heterocompounds;新型含氮杂环荧光分子的设计、合成及性质研究
13.Synthesis, Characterizations and Propertyies of Six-Membered Nitrogen Containing Heterocycle Complexes含氮六元杂环化合物的合成、表征及性质研究
14.Electrochemical properties of 4,5-diaza-9-phenyl imino fluorine4,5-二氮杂芴-9-苯亚胺的电化学性质研究
15.Synthesis of 1,4,7-triazacyclododecane and Determination of Protonated Constant1.4.7-三氮杂环癸烷的合成及其质子化常数的测定
16.Impurity States in Wurtzite Nitride Semiconductor Ellipsoidal Quantum Dots纤锌矿氮化物半导体椭球形量子点杂质态
17.Effect of Nitrogen Application Rates and Plant Densities on the Main Quality Characters of the Two-line Hybrid Wheat Variety Mianzamai 168密度和施氮量对两系杂交小麦品种绵杂麦168主要品质性状的影响
mon purity nitrogen as the material, through some special technics, wipe off the oxygen and water in nitrogen, then get high purity nitrogen.原理：利用普氮为原料，通过一定的特殊工艺的处理，去除普氮中的氧、等杂质，得到高纯氮气。
相关短句/例句
polyaza氮杂
3)Nitrogen heterocyclic compounds(NHCs)含氮杂环类物质(NHCs)
4)N-doped氮掺杂
1.Preparation and characterization ofN-doped TiO_2 nanotubes;氮掺杂二氧化钛纳米管制备与光催化性能
2.Preparation and properties of visible light respondingN-doped TiO_2 nanopowder by hydrothermal synthesis;可见光响应氮掺杂TiO_2光催化剂的水热法制备与性能
3.Research on Photocatalysis Degradation Kinetics ofN-doped TiO_2 to Methylene Blue氮掺杂二氧化钛光催化降解亚甲基蓝的动力学研究
5)nitrogen-doped氮掺杂
1.The Photodegradation of 2-mercaptobenzothiazole in the sus-pension ofnitrogen-doped titania under visible light;可见光下氮掺杂二氧化钛对巯基苯并噻唑的降解(英文)
2.Studies on the photocatalytic activity ofnitrogen-doped TiO_2 under visible light and sunlight irradiation;氮掺杂型纳米TiO_2在可见光及太阳光下的光催化性能研究
3.The Research Progress in Preparation and Visible Light Activity of Nitrogen-Doped TiO_2;氮掺杂二氧化钛的制备及可见光催化研究进展
6)nitrogen doping氮掺杂
1.Study on FN-DLC thin films: (Ⅳ) effect ofnitrogen doping on structural properties of films;含氮氟化类金刚石(FN-DLC)薄膜的研究:(Ⅳ)氮掺杂对薄膜结构的影响
2.Nitrogen doping a-C:F films were prepared by RF plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) to investigate the influence ofnitrogen doping on surface morphology and bond structure.用射频等离子体增强化学气相沉积设备制备了氮掺杂a-C:F(氟化非晶碳)薄膜,研究了不同氮源流量比对薄膜表面形貌和键结构的影响。
延伸阅读
半导体材料中的杂质半导体材料中的杂质impurity in semiconductor materialbandaotl eall旧0 zhong de zazh!半导体材料中的杂质(impurity in Semieon-duetor material)半导体晶格中存在的与其基体不同的其他化学元素原子。杂质的存在使严格按周期性排列的原子所产生的周期性势场受到破坏，这对半导体材料的性质产生决定性的影响。杂质元素在半导体材料中的行为取决于它在半导体材料中的状态，同一种杂质处于间隙态或代位态，其性质也会不同。电活性杂质在半导体材料的禁带中占有一个或几个位置作为杂质能级。按照杂质在半导体材料中的行为可分为施主杂质、受主杂质和电中性杂质。按照杂质电离能的大小可分为浅能级杂质和深能级杂质。浅能级杂质对半导体材料导电性质影响大，而深能级杂质对少数载流子的复合影响更显著。氧、氮、碳在半导体材料中的行为比较复杂，所起的作用与金属杂质不同，以硅和砷化稼为例叙述杂质的行为。硅中的杂质主要有金属杂质和氧、碳。金属杂质分为浅能级杂质和深能级杂质。l族元素硼、铝、稼、锢和v族元素磷、砷、锑，它们在硅中的能级，位于导带底或价带顶的附近，电离能级小，极易离化，因此称为浅能级杂质。它们是硅中主要的电活性杂质。妞族元素起受主作用，v族元素起施主作用，常用作硅的掺杂剂。这两种性质相反的杂质，在硅中首先相互补偿，补偿后的净杂质量提供多数载流子浓度。其他金属杂质，尤其是过渡元素(重金属)，如铜、银、金、铁、钻、镍、铬、锰、铂等，在硅中的能级位置一般远离导带底或价带顶，因此称为深能级杂质。它们在硅中扩散快，并起复合中心作用，严重影响少子寿命。它们本身可产生缺陷，并易与缺陷络合，恶化材料和器件的性能。除特殊用途外，重金属元素在硅中都是有害杂质。镍、钻、铜、铁、锰、铬和银所造成的“雾”缺陷，按次序降低。铜和镍具有高的扩散系数和高的间隙溶解度，在“雾”缺陷形成中，它们会溶解、扩散并沉淀在硅中，而铁、铬、钻则在热处理中将留在硅的表面。铿、钠、钾、镁、钙等碱金属和碱土金属离子，在电场作用下易在p一n结中淀积，使结退化，导致击穿蠕变，MOS闽电压漂移，沟道漏电，甚至反型。锗是替位式杂质，电中性，能有效地消除氧化片滑移，增加硅的机械强度。氧氧在硅中是间隙型杂质，分散在硅中的氧原子呈电中性。是硅中含量最多又极为重要的杂质。硅中氧主要来源于熔融硅与石英增涡的反应。
